刻蝕設(shè)備或是半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化前沿陣地，關(guān)注技術(shù)領(lǐng)先的本土設(shè)備龍頭

　　我們認(rèn)為，受益于半導(dǎo)體產(chǎn)能投資擴(kuò)張和戰(zhàn)略支持，本土設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來“最好的時(shí)代”，刻蝕設(shè)備有望成為國(guó)產(chǎn)化前沿陣地。雖然海外巨頭壟斷全球市場(chǎng)，中外刻蝕設(shè)備仍存差距，但上海中微半導(dǎo)體(未上市)、北方華創(chuàng)等本土企業(yè)刻蝕設(shè)備的技術(shù)積累和國(guó)產(chǎn)化布局正穩(wěn)步推進(jìn)，有格局、重研發(fā)、有耐心的優(yōu)秀企業(yè)有望率先脫穎而出獲得國(guó)內(nèi)外晶圓制造企業(yè)認(rèn)可。

　　刻蝕是復(fù)制掩膜圖案關(guān)鍵步驟，CCP、ICP、ECR等類刻蝕設(shè)備應(yīng)用廣泛

　　刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程，是完成光刻工藝后復(fù)制掩膜圖案的關(guān)鍵步驟。刻蝕工藝分為干法、濕法刻蝕，具有良好各向異性和工藝可控性的干法刻蝕是芯片制造中實(shí)現(xiàn)介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕的主要技術(shù)路徑。具體而言，高密度等離子體刻蝕是目前用于先進(jìn)制程工藝中刻蝕關(guān)鍵層的重要方法，CCP(電容耦合)、ICP(電感耦合)、ECR(電子回旋加速振蕩)等類刻蝕機(jī)應(yīng)用廣泛，原子層刻蝕(ALE)設(shè)備或是未來發(fā)展方向。

　　中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求高漲，刻蝕設(shè)備18~20年年均市場(chǎng)或達(dá)331億元

　　受益于本土半導(dǎo)體產(chǎn)能投資擴(kuò)張，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)需求高漲，SEMI預(yù)計(jì)19年中國(guó)大陸將超越韓國(guó)位居全球第一大設(shè)備市場(chǎng)(173億美元)。據(jù)我們梳理，18~20 年中國(guó)大陸12、8 寸晶圓廠建設(shè)投資將達(dá)7087 億元(內(nèi)資5303 億元)，年均2362 億元(內(nèi)資1768 億元)，我們預(yù)計(jì)18~20 年刻蝕設(shè)備合計(jì)市場(chǎng)空間或達(dá)992億元，年均331億元；其中18~20 年內(nèi)資晶圓廠的刻蝕設(shè)備空間有望達(dá)742億元，年均247億元。

　　全球刻蝕設(shè)備行業(yè)高度集中，17 年三大龍頭占據(jù)全球市場(chǎng)94%。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步中器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備使用量不斷增大，拉姆研究利用其較低的設(shè)備成本和相對(duì)簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)在65、45nm 設(shè)備市場(chǎng)超過對(duì)手，占據(jù)全球市場(chǎng)半壁江山，份額從12年的約45%提升至17年的約55%。由拉姆研究、東京電子、應(yīng)用材料三大全球刻蝕設(shè)備龍頭的發(fā)展史可見，刻蝕設(shè)備技術(shù)壁壘較高且迭代較快，只有始終聚焦核心技術(shù)自主研發(fā)，緊密綁定下游晶圓廠技術(shù)進(jìn)步的制造商才能在長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)中勝出。

　　國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備制造商奮起直追，進(jìn)口替代歷史機(jī)遇漸行漸近

　　我們認(rèn)為國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、硅片制造設(shè)備等領(lǐng)域細(xì)分龍頭有望較快實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化突破并率先兌現(xiàn)業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)。目前上海中微半導(dǎo)體7nm 等離子刻蝕機(jī)已在國(guó)際一流集成電路產(chǎn)線上量產(chǎn)使用，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；北方華創(chuàng)硅刻蝕機(jī)也已突破14nm 技術(shù)，進(jìn)入主流芯片代工廠。我們認(rèn)為雖然中外刻蝕設(shè)備仍存在較大差距，但有格局、重研發(fā)、有耐心的團(tuán)隊(duì)將有望獲得國(guó)內(nèi)外晶圓制造企業(yè)認(rèn)可。

　　風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)下行及半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動(dòng)，國(guó)內(nèi)芯片制造技術(shù)突破慢于預(yù)期、產(chǎn)業(yè)投資不及預(yù)期，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)突破慢于預(yù)期。

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